Infineon MOSFET MOSFET 4 A 2 10-Pin WSON-10 5.5 V 2 ns
- RS Best.-Nr.:
- 236-4409
- Herst. Teile-Nr.:
- WCDSC006XUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.082 | CHF.5.41 |
| 50 - 120 | CHF.0.945 | CHF.4.70 |
| 125 - 245 | CHF.0.872 | CHF.4.37 |
| 250 - 495 | CHF.0.819 | CHF.4.11 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 236-4409
- Herst. Teile-Nr.:
- WCDSC006XUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Abfallzeit | 2ns | |
| Gehäusegröße | WSON-10 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 3ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 10 | ||
Abfallzeit 2ns | ||
Gehäusegröße WSON-10 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 3ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der EiceDRIVER WCDSC006 von Infineon ist ein Halbbrückentreiber, der entwickelt wurde, um sowohl High-Side- als auch Low-Side-MOSFETs in einer Halbbrücken-Wechselrichterkonfiguration anzusteuern. Der schwebende High-Side-Treiber kann einen High-Side-MOSFET treiben. Die High-Side-Vorspannung wird unter Verwendung einer Bootstrap-Technik erzeugt. Die Eingänge des Treibers sind mit TTL-Logik kompatibel und können unabhängig von der VDD-Spannung Eingangsspannungen von bis zu 7 V standhalten. Obwohl High-Side- und Low-Side-Leistungsbauelement unabhängig voneinander angesteuert werden, erzwingt der Treiber eine Totzeit von 5 ns, um ein Durchschießen zu verhindern.
Maximale Bootstrap-Spannung von 60 V
Integrierte Bootstrap-Diode
0,3 V bis 7 V Eingangspin-Fähigkeit für erhöhte Robustheit
Unabhängige High-Side- und Low-Side-TTL-Logikeingänge
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