Infineon 1EDN7136GXTMA1 MOSFET MOSFET 1 A 11-Pin PG-VSON-10 11 V 5.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 240-8522
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDN7136GXTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.767 | CHF.3.84 |
| 50 - 120 | CHF.0.672 | CHF.3.34 |
| 125 - 245 | CHF.0.63 | CHF.3.15 |
| 250 - 495 | CHF.0.588 | CHF.2.92 |
| 500 + | CHF.0.536 | CHF.2.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 240-8522
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDN7136GXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 1A | |
| Pinanzahl | 11 | |
| Gehäusegröße | PG-VSON-10 | |
| Abfallzeit | 5.5ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 11V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 11V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 1A | ||
Pinanzahl 11 | ||
Gehäusegröße PG-VSON-10 | ||
Abfallzeit 5.5ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 11V | ||
Maximale Versorgungsspannung 11V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7113G ist ein Einkanal-Gate-Treiber-IC, der für die Kompatibilität mit CoolGaNTM-HEMTs optimiert ist, und er ist auch kompatibel mit anderen Schottky-Gate-HEMTs (SG) und Silizium-MOSFETs. Dank des wirklich differenziellen Eingangs-Funktion (TDI) wird der Gate-Treiber-Ausgangszustand ausschließlich durch den Spannungsunterschied zwischen den beiden Eingängen gesteuert und völlig unabhängig vom Referenzpotenzial des Treibers (Erdung), solange die Gleichtaktspannung unter 150 V (statisch) und 200 V (dynamisch) liegt. Dies beseitigt das Risiko einer falschen Auslösung durch Erdungsprellen in Low-Side-Anwendungen, während der 1EDN7113G auch High-Side-Anwendungen ansprechen kann.
Vermeiden Sie falsche Auslösung im Low- oder High-Side-Betrieb
Hoher Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich für den High-Side-Betrieb
Robuster Betrieb bei schnellen Schalttransienten
Kompatibel mit 3,3-V- oder 5-V-Eingangslogik.
Aktive Miller-Klemme mit 5-A-Sinkfähigkeit, um ein induziertes Einschalten zu vermeiden
Einstellbare Ladepumpe für negative Abschaltungs-Versorgungsspannung
Geeignet für den Antrieb von GaN-HEMTs oder Si-MOSFETs
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
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