Infineon MOSFET MOSFET 500 mA 11-Pin PG-VSON-10 11 V 11 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

CHF.1’052.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 04. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 +CHF.0.263CHF.1’054.20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
240-8523
Herst. Teile-Nr.:
1EDN7146GXTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

500mA

Pinanzahl

11

Gehäusegröße

PG-VSON-10

Abfallzeit

11ns

Treiber-Typ

MOSFET

Minimale Versorgungsspannung

11V

Maximale Versorgungsspannung

11V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7114G ist ein Einkanal-Gate-Treiber-IC, der für die Kompatibilität mit CoolGaNTM-HEMTs optimiert ist, und er ist auch kompatibel mit anderen Schottky-Gate-HEMTs (SG) und Silizium-MOSFETs. Dank des wirklich differenziellen Eingangs-Funktion (TDI) wird der Gate-Treiber-Ausgangszustand ausschließlich durch den Spannungsunterschied zwischen den beiden Eingängen gesteuert und völlig unabhängig vom Referenzpotenzial des Treibers (Erdung), solange die Gleichtaktspannung unter 150 V (statisch) und 200 V (dynamisch) liegt. Dies beseitigt das Risiko einer falschen Auslösung durch Erdungsprellen in Low-Side-Anwendungen, während der 1EDN7114G auch High-Side-Anwendungen ansprechen kann.

Vermeiden Sie falsche Auslösung im Low- oder High-Side-Betrieb

Hoher Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich für den High-Side-Betrieb

Robuster Betrieb bei schnellen Schalttransienten

Kompatibel mit 3,3-V- oder 5-V-Eingangslogik.

Aktive Miller-Klemme mit 5-A-Sinkfähigkeit, um ein induziertes Einschalten zu vermeiden

Einstellbare Ladepumpe für negative Abschaltungs-Versorgungsspannung

Geeignet für den Antrieb von GaN-HEMTs oder Si-MOSFETs

Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen