Renesas Electronics HIP2101IBZT MOSFET MOSFET 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 238-0035
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2101IBZT
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.4.683 | CHF.9.37 |
| 50 - 98 | CHF.3.98 | CHF.7.96 |
| 100 - 248 | CHF.3.465 | CHF.6.92 |
| 250 - 998 | CHF.3.276 | CHF.6.55 |
| 1000 + | CHF.3.213 | CHF.6.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 238-0035
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2101IBZT
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 500ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 9V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 14V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | HIP2101 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 500ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 9V | ||
Maximale Versorgungsspannung 14V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Serie HIP2101 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Renesas Electronics HIP2101 ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC mit 100 V. Er entspricht dem HIP2100 mit dem zusätzlichen Vorteil vollständig TTL/CMOS-kompatibler Logikeingangsstifte. Im Gegensatz zu einigen Wettbewerbern kehrt der Hochspannungsausgang nach einer kurzzeitigen Unterspannung der Hochspannungsversorgung in seinen korrekten Zustand zurück.
Versorgt N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke
SOIC-, EPSOIC-, QFN- und DFN-Gehäuseoptionen
Bootstrap-Versorgungsspannung bis 114 VDC
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