Renesas Electronics MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 5 V 8 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.9.03

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 1’915 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.1.806CHF.9.02
25 - 45CHF.1.533CHF.7.67
50 - 95CHF.1.502CHF.7.53
100 - 245CHF.1.302CHF.6.51
250 +CHF.1.218CHF.6.09

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-7248
Herst. Teile-Nr.:
ISL6208IBZ
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

4A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

8ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

8ns

Minimale Versorgungsspannung

5V

Maximale Versorgungsspannung

5V

Betriebstemperatur min.

-10°C

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Serie

ISL6208

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Die Gate-Treiber von Renesas Electronics sind Hochfrequenz-MOSFET-Treiber, die für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in einer synchron-gleichgerichteten Abwärtswandler-Topologie optimiert sind. Sie eignen sich besonders für mobile Computeranwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad und hervorragende thermische Eigenschaften erfordern.

Sehr weicher Schaltübergang

Interne Ladepumpe

Power-Good-Anzeige

Verwandte Links