Renesas Electronics MOSFET MOSFET 2 A 8-Pin SOIC-8 14 V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 263-6912
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2100IBZT
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 263-6912
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2100IBZT
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 20ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 9V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 14V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Serie | HIP2100 | |
| Länge | 4.98mm | |
| Breite | 3.99 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 20ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 9V | ||
Maximale Versorgungsspannung 14V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.7mm | ||
Serie HIP2100 | ||
Länge 4.98mm | ||
Breite 3.99 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der kostengünstige Hochfrequenz-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC von Renesas Electronics. Die Low-Side- und High-Side-Gate-Treiber werden unabhängig gesteuert und auf 8 ns abgestimmt. Dies bietet dem Benutzer maximale Flexibilität bei der Auswahl von Dead-Time- und Treiberprotokoll. Der Unterspannungsschutz an den Low-Side- und High-Side-Versorgungen zwingt die Ausgänge niedrig zu halten.
Schnelle Ausbreitungszeiten für Mehrfach-MHz-Stromkreise
CMOS-Eingangsschwellenwerte für verbesserte Störfestigkeit
Unabhängige Eingänge für Nicht-Halbbrückentopologien
Keine Startprobleme
Verwandte Links
- Renesas Electronics HIP2100IBZT MOSFET MOSFET 2 A 8-Pin SOIC-8 14 V 10 ns
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 500 ns
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 4 A 2 8-Pin SOIC 14 V 190 ns
- Renesas Electronics HIP2100IBZ MOSFET MOSFET 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 500 ns
- Renesas Electronics HIP2101IBZ MOSFET MOSFET 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 500 ns
- Renesas Electronics HIP2101IBZT MOSFET MOSFET 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 10 ns
- Renesas Electronics ISL2111ABZ MOSFET MOSFET 4 A 2 8-Pin SOIC 14 V 190 ns
- Renesas Electronics MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 5 V 8 ns