Broadcom ASSR-1218 Leiterplattenmontage Halbleiterausgang, SPST 60 V 1.6V / 0.2 A
- RS Best.-Nr.:
- 189-4778
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-1228-002E
- Marke:
- Broadcom
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.3.384 | CHF.169.18 |
| 100 - 200 | CHF.3.293 | CHF.164.58 |
| 250 - 450 | CHF.3.202 | CHF.160.19 |
| 500 - 950 | CHF.3.121 | CHF.156.15 |
| 1000 + | CHF.3.05 | CHF.152.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 189-4778
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-1228-002E
- Marke:
- Broadcom
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Broadcom | |
| Laststrom max | 0.2A | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Lastspannung max | 60V | |
| Lastspannung min | -60V | |
| Steuerspannung max | 1.6V | |
| Steuerspannung min | 1.25V | |
| Serie | ASSR-1218 | |
| Anschlusstyp | 4-polig | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Betriebstemperatur min. | 85°C | |
| Schaltfunktion | AC-Schaltung | |
| Widerstand im eingeschalteten Zustand | 0.25Ω | |
| Gehäusegröße | DIP-8 | |
| Maximale Betriebstemperatur | -40°C | |
| Breite | 6.4mm | |
| Normen/Zulassungen | CSA, RoHS, IEC | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Länge | 9.7mm | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1μA | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Kapazität | 0.4pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Broadcom | ||
Laststrom max 0.2A | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Lastspannung max 60V | ||
Lastspannung min -60V | ||
Steuerspannung max 1.6V | ||
Steuerspannung min 1.25V | ||
Serie ASSR-1218 | ||
Anschlusstyp 4-polig | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Betriebstemperatur min. 85°C | ||
Schaltfunktion AC-Schaltung | ||
Widerstand im eingeschalteten Zustand 0.25Ω | ||
Gehäusegröße DIP-8 | ||
Maximale Betriebstemperatur -40°C | ||
Breite 6.4mm | ||
Normen/Zulassungen CSA, RoHS, IEC | ||
Höhe 3.6mm | ||
Länge 9.7mm | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1μA | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
Kapazität 0.4pF | ||
Halbleiterrelais (Foto-MOSFET), Serie ASSR, Avago Technologies
Die Foto-MOSFET-Halbleiterrelais von Avago Technologie besteht aus einer Infrarot-Leuchtdiode (LED) und dem Detektor, der aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Diodenarray und Treiberschaltkreisen besteht, um zwei diskrete Hochspannungs-MOSFETS ein- und auszuschalten.
Optokoppler, Avago Technologies
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