IXYS IGBT / 12 A, 1.7 kV 75 W, 3-Pin TO-247AD N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 194-760
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-417
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH6N170
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 12A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.7kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 19.81mm | |
| Normen/Zulassungen | International Standard Packages | |
| Breite | 15.75mm | |
| Serie | High Voltage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 12A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.7kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 19.81mm | ||
Normen/Zulassungen International Standard Packages | ||
Breite 15.75mm | ||
Serie High Voltage | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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