IXYS IGBT / 430 A ±20V max. , 650 V 625 W, 3-Pin TO-247AD N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
125-8049
Herst. Teile-Nr.:
IXXH80N65B4H1
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

430 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

625 W

Gehäusegröße

TO-247AD

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

5 → 30kHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

16.1 x 5.2 x 21.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

5.2mJ

Ursprungsland:
PH

IGBTs, diskret, IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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