IXYS IGBT / 100 A ±20V max. , 1700 V 937 W, 3-Pin TO247AD

IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs mit Nennströmen von 29 bis 178 A sind gut für Anwendungen mit Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsumwandlung geeignet. Diese Geräte wurden mit der proprietären Dünnwafer-XPT-Technologie und dem hochmodernen IGBT-Prozess entwickelt und zeigen Eigenschaften wie geringeren Wärmewiderstand, geringen Tailstrom, geringen Energieverlust und hohe Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung. Dank des positiven Temperaturkoeffizienten ihrer Durchlassspannung können die neuen Hochspannungs-IGBTs parallel eingesetzt werden, was im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Spannung in Reihenschaltung eine kosteneffiziente Lösungen darstellt.

Thin wafer XPT-Technologie
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
Hohe Effizienz
Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen
Anwendungsbereich
Impulsgeber-Stromkreise
Laser- und Röntgengeneratoren
Hochspannungsnetzteile
Hochspannungs-Messeinrichtungen
Kondensatorentladungs-Stromkreise
AC-Schalter