IXYS IGBT / 100 A ±20V max. , 1700 V 937 W, 3-Pin TO247AD
- RS Best.-Nr.:
- 146-4404
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYH30N170C
- Marke:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.24.35
Auf Lager
- 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.24.35 |
| 5 - 9 | CHF.20.58 |
| 10 + | CHF.19.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 146-4404
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYH30N170C
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1700 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 937 W | |
| Gehäusegröße | TO247AD | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1700 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 937 W | ||
Gehäusegröße TO247AD | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.13 x 5.21 x 21.34mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs mit Nennströmen von 29 bis 178 A sind gut für Anwendungen mit Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsumwandlung geeignet. Diese Geräte wurden mit der proprietären Dünnwafer-XPT-Technologie und dem hochmodernen IGBT-Prozess entwickelt und zeigen Eigenschaften wie geringeren Wärmewiderstand, geringen Tailstrom, geringen Energieverlust und hohe Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung. Dank des positiven Temperaturkoeffizienten ihrer Durchlassspannung können die neuen Hochspannungs-IGBTs parallel eingesetzt werden, was im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Spannung in Reihenschaltung eine kosteneffiziente Lösungen darstellt.
Thin wafer XPT-Technologie
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
Hohe Effizienz
Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen
Anwendungsbereich
Impulsgeber-Stromkreise
Laser- und Röntgengeneratoren
Hochspannungsnetzteile
Hochspannungs-Messeinrichtungen
Kondensatorentladungs-Stromkreise
AC-Schalter
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
Hohe Effizienz
Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen
Anwendungsbereich
Impulsgeber-Stromkreise
Laser- und Röntgengeneratoren
Hochspannungsnetzteile
Hochspannungs-Messeinrichtungen
Kondensatorentladungs-Stromkreise
AC-Schalter
Verwandte Links
- IXYS IGBT / 100 A ±20V max. , 1700 V 937 W, 3-Pin TO247AD
- IXYS IGBT / 100 A ±20V max. , 1700 V 937 W, 3-Pin PLUS247
- IXYS IGBT / 95 A ±20V max. , 2500 V 937 W, 3-Pin PLUS247
- IXYS IGBT / 95 A ±20V max. , 2500 V 937 W, 3-Pin TO247HV
- IXYS IGBT / 95 A ±20V max. , 2500 V 937 W, 3-Pin TO-268HV
- IXYS IGBT-Modul / 80 A ±20V max. , 1700 V 680 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT-Modul / 270 A ±20V max. , 1700 V 680 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT / 6 A ±20V max., 1700 V, 3-Pin TO-247AD N-Kanal
