IXYS IGBT / 570 A ±20V max. , 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 125-8051
- Herst. Teile-Nr.:
- IXXK110N65B4H1
- Marke:
- IXYS
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- RS Best.-Nr.:
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- IXXK110N65B4H1
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 570 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 880 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-264 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 10 → 30kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 20.3 x 5.3 x 26.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Nennleistung | 3mJ | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 570 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 880 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-264 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 10 → 30kHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 20.3 x 5.3 x 26.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Nennleistung 3mJ | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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