STMicroelectronics IGBT / 84 A Dual Gate, 650 V 441 W, 7-Pin HU3PAK Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
285-637
Herst. Teile-Nr.:
STGHU30M65DF2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

84A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

441W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Dual Gate

Gehäusegröße

HU3PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

11.9mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Höhe

3.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieses Gerät von STMicroelectronics ist ein IGBT, das mit einer Advanced proprietären Trenngatter-Fieldtop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Maximale Anschlusstemperatur TJ = 175 °C

6 μs minimale Kurzschlussbeständigkeit

Enge Parameterverteilung

Sicherere Parallelführung

Niedriger Wärmewiderstand

Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode

Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen treibenden Kelvin-Stifts

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