STMicroelectronics IGBT / 145 A, 650 V 441 W, 4-Pin TO-247-4 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 212-2107
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW100H65FB2-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 212-2107
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW100H65FB2-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 145A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 441W | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Serie | STG | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 145A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 441W | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Serie STG | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
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