STMicroelectronics IGBT / 145 A, 650 V 441 W, 4-Pin TO-247-4 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.158.46

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 540 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 90CHF.5.282CHF.158.41
120 - 480CHF.5.141CHF.154.23
510 - 990CHF.5.01CHF.150.29
1020 +CHF.4.888CHF.146.53

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
212-2106
Herst. Teile-Nr.:
STGW100H65FB2-4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

145A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

441W

Gehäusegröße

TO-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

21.1 mm

Länge

15.9mm

Serie

STG

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

IGBT


Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Verwandte Links