STMicroelectronics IGBT / 84 A Dual Gate, 650 V 441 W, 7-Pin HU3PAK Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 285-638
- Herst. Teile-Nr.:
- STGHU30M65DF2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 84A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 441W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Konfiguration | Dual Gate | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Länge | 11.9mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 84A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 441W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Konfiguration Dual Gate | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 3.6mm | ||
Länge 11.9mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieses Gerät von STMicroelectronics ist ein IGBT, das mit einer Advanced proprietären Trenngatter-Fieldtop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Maximale Anschlusstemperatur TJ = 175 °C
6 μs minimale Kurzschlussbeständigkeit
Enge Parameterverteilung
Sicherere Parallelführung
Niedriger Wärmewiderstand
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen treibenden Kelvin-Stifts
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