onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Stock No.:
- 124-1336
- Mfr. Part No.:
- FGH40N60SMD
- Brand:
- onsemi
Bulk discount available
Subtotal (1 tube of 30 units)*
CHF.114.03
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | CHF.3.801 | CHF.114.09 |
| 150 - 270 | CHF.3.486 | CHF.104.61 |
| 300 + | CHF.3.402 | CHF.102.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 124-1336
- Mfr. Part No.:
- FGH40N60SMD
- Brand:
- onsemi
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 349 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.6 x 4.7 x 20.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 349 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.6 x 4.7 x 20.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Related links
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Fairchild IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247AB N-Kanal
- onsemi IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 290 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 600 V 600 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin TO-247
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 1200 V 153 W TO-247