onsemi IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 145-3284
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB25N120FL3WG
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | CHF.4.368 | CHF.131.20 |
| 120 - 240 | CHF.3.497 | CHF.104.96 |
| 270 - 480 | CHF.3.308 | CHF.99.19 |
| 510 - 990 | CHF.3.171 | CHF.95.16 |
| 1020 + | CHF.3.098 | CHF.92.80 |
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- RS Best.-Nr.:
- 145-3284
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB25N120FL3WG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 349 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Kapazität | 3085pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 349 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Kapazität 3085pF | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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