onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 1200 V 153 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 241-0724
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH4L40T120LQD
- Marke:
- onsemi
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|---|---|
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- 241-0724
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH4L40T120LQD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 30 | |
| Verlustleistung max. | 153 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 30 | ||
Verlustleistung max. 153 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Der IGBT Ultra-Feld-Stopp von ON Semiconductor mit 1200 V, 40 A. Dieser IGBT verwendet eine schnelle Schaltdiode, womit er ideal für den Einsatz in harten Schaltanwendungen ist, bei denen EON, IRRM und trr wichtige Faktoren zur Bestimmung der Verluste sind. Ultra Field Stop IGBTs bieten ausgezeichnete Schaltverluste für Geräte mit geringem Leitungsverlust.
Niedriger VCE(SAT) 1,55 V bei 40 A
EON 1,04 mJ bei 600 V/40A
EOFF 1,35 mJ bei 600 V/40A
IRRM 41,3 A bei 175 °C 1 A/ns 40 A
EON 1,04 mJ bei 600 V/40A
EOFF 1,35 mJ bei 600 V/40A
IRRM 41,3 A bei 175 °C 1 A/ns 40 A
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