onsemi IGBT / 40 A, 1200 V 227 W, 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 178-4594
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SQDNL4
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.8.589
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.8.59 |
| 10 + | CHF.7.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-4594
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SQDNL4
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.78V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | Field Stop | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.78V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie Field Stop | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Ultra-Feldsperren-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.
Extrem effizienter Trench mit Feldsperren-Technologie • TJmax = 175 °C • Diode mit weicher und schneller Umkehr-Erholungsladung • optimiert für hohe Schaltgeschwindigkeiten • Diese Geräte sind Pb-frei
Anwendungen
Solar-Wechselrichter, USV, Schweißen
Verwandte Links
- onsemi IGBT / 160 A ±30V max. , 1200 V 454 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal
- onsemi IGBT / 60 A ±30V max. , 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 P-Kanal
- onsemi IGBT / 160 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 1.5 kW, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 536 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 1200 V 153 W TO-247
- onsemi IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 40 A, 1200 V 555 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 938 W, 3-Pin TO-247 P-Kanal