onsemi IGBT / 40 A, 1200 V 227 W, 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 178-4321
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SQDNL4
- Marke:
- onsemi
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Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.155.61
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | CHF.5.187 | CHF.155.74 |
| 120 - 240 | CHF.4.305 | CHF.129.09 |
| 270 - 480 | CHF.4.053 | CHF.121.62 |
| 510 + | CHF.3.843 | CHF.115.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-4321
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SQDNL4
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.78V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | Field Stop | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 4 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.78V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie Field Stop | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Ultra-Feldsperren-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.
Extrem effizienter Trench mit Feldsperren-Technologie • TJmax = 175 °C • Diode mit weicher und schneller Umkehr-Erholungsladung • optimiert für hohe Schaltgeschwindigkeiten • Diese Geräte sind Pb-frei
Anwendungen
Solar-Wechselrichter, USV, Schweißen
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