onsemi IGBT-Feldstop II / 70 A, 650 V 300 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 163-0258
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB35N65FL2WG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.112.77
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | CHF.3.759 | CHF.112.90 |
| 120 - 240 | CHF.3.003 | CHF.90.00 |
| 270 - 480 | CHF.2.846 | CHF.85.24 |
| 510 - 990 | CHF.2.688 | CHF.80.64 |
| 1020 + | CHF.2.373 | CHF.71.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 163-0258
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB35N65FL2WG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Feldstop II | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 70A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 16.25 mm | |
| Serie | Field Stop | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 20.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Feldstop II | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 70A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 16.25 mm | ||
Serie Field Stop | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 20.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- onsemi IGBT-Feldstop II / 70 A, 650 V 300 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT-Feldstop II / 80 A, 650 V 366 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT / 150 A ±20V max. , 650 V 455 W, 4-Pin TO-247
- onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 650 V 268 W, 3-Pin TO-247
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 469 W TO-247-3L
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-4LD
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L
- onsemi IGBT / 80 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD