IXYS IGBT / 280 A ±20V max., 600 V 300 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 146-1729
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH48N60B3
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 60 Stück)*
CHF.504.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 60 + | CHF.8.40 | CHF.503.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 146-1729
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH48N60B3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 280 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 40kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 280 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 40kHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- IXYS IGBT / 280 A ±20V max., 600 V 300 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- IXYS IGBT / 75 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Bourns IGBT / 30 A ±20V max. , 600 V 230 W TO-247
- Bourns IGBT / 20 A ±20V max. , 600 V 192 W TO-247
- IXYS IGBT / 200 A ±20V max., 1200 V 1250 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- IXYS IGBT / 90 A ±20V max., 1200 V 625 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- IXYS IGBT / 40 A ±20V max., 1200 V 278 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- IXYS IGBT / 64 A ±20V max., 1200 V 480 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal