IXYS IGBT / 280 A ±20V max., 600 V 300 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 791-7416
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH48N60B3
- Marke:
- IXYS
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.9.156 | CHF.18.30 |
| 10 - 28 | CHF.7.392 | CHF.14.77 |
| 30 - 58 | CHF.6.594 | CHF.13.18 |
| 60 - 118 | CHF.6.048 | CHF.12.09 |
| 120 + | CHF.5.481 | CHF.10.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 791-7416
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH48N60B3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 280 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 40kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 280 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 40kHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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