IXYS IGBT / 80 A, 1.2 kV, 3-Pin TO-220 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 146-1730
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGP20N120B3
- Marke:
- IXYS
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- RS Best.-Nr.:
- 146-1730
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- IXGP20N120B3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) | 80 A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) | 1.2 kV | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) 80 A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) 1.2 kV | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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