IXYS IGBT / 50 A, 1200 V, 3-Pin TO-268
- RS Best.-Nr.:
- 168-4411
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGT30N120B3D1
- Marke:
- IXYS
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- 168-4411
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGT30N120B3D1
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gehäusegröße | TO-268 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.05 x 14 x 5.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gehäusegröße TO-268 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.05 x 14 x 5.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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