Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 938 W, 3-Pin TO-247 P-Kanal

Infineon reagiert auf die Marktanforderung, immer größere Mengen Silizium in kleineren, platzsparenden Gehäusen unterzubringen, und stellt das neue Gehäuse TO-247PLUS für 1200-V-IGBT vor. Höhere Strombelastbarkeit, verbessertes thermisches Verhalten. Das TO-247PLUS hat die gleichen Außenabmessungen wie der Industriestandard TO-247, aber aufgrund des fehlenden Schraublochs können bis zu 75 A bei 1200 V mit voller 75-A-Diode verpackt werden.

Hohe Leistungsdichte – bis zu 75-A-1200-V-IGBT mit 75-A-Diode in TO-247-Abmessung20 % niedrigerer R th(jh) im Vergleich zu TO-247 3-PinErweiterte Kollektor-Emitter-Pin-Kriechstrecke von 4,25 mmErweiterte Clip-Kriechstrecke durch vollständig vergossene GehäusevorderseiteHöhere Leistungsdichte des Systems – Erhöhung I c bei Beibehaltung der gleichen Wärmeleistung des SystemsNiedrigerer Wärmewiderstand R th(jh) und um ∼15 % verbesserte Wärmeableitungsfähigkeit des TO-247PLUS im Vergleich zu TO-247Höhere Zuverlässigkeit, längere Lebensdauer des Gerätes