Teile-Nr.

Infineon IGBT / 150 A 25V max. , 1200 V 880 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6111
Herst. Teile-Nr.:: IKQ75N120CS6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 150 A 25V max. , 1200 V 880 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 226-6111
Herst. Teile-Nr.:: IKQ75N120CS6XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	150 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	25V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	880 W
	Konfiguration	Single
	Gehäusegröße	PG-TO247
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 150 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. 25V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 880 W
	Konfiguration Single
	Gehäusegröße PG-TO247
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - IKQ75N120CS6XKSA1

Der Infineon 5 A IGBT mit antiparalleler Diode ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Diode und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er verwendete eine niedrige Gate-Ladung.

Geringe elektromagnetische Störungen
QG mit niedriger Gatterladung
Niedrige Sättigungsspannung bei 1,85 V in Kombination mit niedrigen Schaltverlusten

Infineon IGBT / 150 A 25V max. , 1200 V 880 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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