Infineon IGBT / 60 A 25V max. , 1200 V 330 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6077
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.793 | CHF.83.92 |
| 60 - 120 | CHF.2.657 | CHF.79.73 |
| 150 - 270 | CHF.2.541 | CHF.76.39 |
| 300 - 570 | CHF.2.436 | CHF.73.02 |
| 600 + | CHF.2.268 | CHF.67.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6077
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 25V | |
| Verlustleistung max. | 330 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | PG-TO247 | |
| Konfiguration | Single | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 25V | ||
Verlustleistung max. 330 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße PG-TO247 | ||
Konfiguration Single | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Die Infineon IHW30N120R5 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.
Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen
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