Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 1200 V 330 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6078
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.16.465
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.293 | CHF.16.48 |
| 25 - 45 | CHF.2.172 | CHF.10.87 |
| 50 - 120 | CHF.2.01 | CHF.10.06 |
| 125 - 245 | CHF.1.879 | CHF.9.40 |
| 250 + | CHF.1.747 | CHF.8.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6078
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.55V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 42mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.55V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 42mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IHW30N120R5 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.
Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 1200 V 330 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 20 A, 1200 V 288 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 156 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 200 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 1200 V 5 kW, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 150 A, 1200 V 880 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 75 A, 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage