Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 1200 V 330 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6078
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.636 | CHF.13.19 |
| 25 - 45 | CHF.1.737 | CHF.8.70 |
| 50 - 120 | CHF.1.606 | CHF.8.05 |
| 125 - 245 | CHF.1.505 | CHF.7.51 |
| 250 + | CHF.1.394 | CHF.6.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6078
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.55V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.55V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie Resonant Switching | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IHW30N120R5 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.
Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen
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