Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1.2 kV 156 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6075
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 1.555 | CHF 46.54 | - |
| 60 - 120 | CHF 1.475 | CHF 44.21 | CHF 4.80 |
| 150 - 270 | CHF 1.414 | CHF 42.36 | CHF 21.15 |
| 300 - 570 | CHF 1.353 | CHF 40.48 | CHF 60.60 |
| 600 + | CHF 1.252 | CHF 37.69 | CHF 181.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6075
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 16.13mm | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Länge | 42mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for target applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 16.13mm | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Länge 42mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for target applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.
Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen
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