Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 156 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6075
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 1.555 | CHF 46.54 |
| 60 - 120 | CHF 1.475 | CHF 44.21 |
| 150 - 270 | CHF 1.414 | CHF 42.36 |
| 300 - 570 | CHF 1.353 | CHF 40.48 |
| 600 + | CHF 1.252 | CHF 37.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6075
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 16.13mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for target applications | |
| Länge | 42mm | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 16.13mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for target applications | ||
Länge 42mm | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.
Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen
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