Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 156 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6076
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 2.889 | CHF 14.42 |
| 25 - 45 | CHF 2.505 | CHF 12.54 |
| 50 - 120 | CHF 2.333 | CHF 11.69 |
| 125 - 245 | CHF 2.192 | CHF 10.97 |
| 250 + | CHF 2.02 | CHF 10.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6076
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for target applications | |
| Länge | 42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Höhe 5.21mm | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for target applications | ||
Länge 42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.
Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen
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