Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 200 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.262

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 236 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.3.131CHF.6.25
20 - 48CHF.2.687CHF.5.38
50 - 98CHF.2.525CHF.5.05
100 - 198CHF.2.353CHF.4.71
200 +CHF.2.182CHF.4.37

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-6668
Herst. Teile-Nr.:
IKW15N120BH6XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

42mm

Breite

16.13 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Serie

TrenchStop

Höhe

5.21mm

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der 6. Generation von Infineon in der schnellen, weichen Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links