Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1.2 kV 200 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF 46.65

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 30CHF 1.555CHF 46.54
60 - 120CHF 1.475CHF 44.21
150 - 270CHF 1.414CHF 42.36
300 - 570CHF 1.353CHF 40.48
600 +CHF 1.252CHF 37.69

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-6667
Herst. Teile-Nr.:
IKW15N120BH6XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1.2kV

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Länge

42mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Breite

16.13mm

Höhe

5.21mm

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der 6. Generation von Infineon in der schnellen, weichen Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links