STMicroelectronics IGBT / 30 A, 390 V 150 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
165-6607
Herst. Teile-Nr.:
STGD18N40LZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

390V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

16 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC Q101

Länge

6.6mm

Breite

6.2 mm

Serie

STGD18N40LZ

Höhe

2.4mm

Energie

180mJ

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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