onsemi IGBT / 60 A, 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 178-4259
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH60T65SQD-F155
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.2.877 | CHF.86.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-4259
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH60T65SQD-F155
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gehäusegröße | TO-247 G03 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Field Stop 4th Generation | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Energie | 50mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gehäusegröße TO-247 G03 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Field Stop 4th Generation | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Energie 50mJ | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dank der neuartigen Feldsperren-IGBT-Technologie bietet die neue Serie der Feldsperren-IGBTs der 4. Generation von ON Semiconductor optimale Leistung für Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unentbehrlich sind.
Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 60 A
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
Anwendungen
Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS, PFC
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