onsemi IGBT / 60 A, 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 Typ P-Kanal Durchsteckmontage

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Herst. Teile-Nr.:
FGH60T65SQD-F155
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gehäusegröße

TO-247 G03

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ P

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

Field Stop 4th Generation

Energie

50mJ

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dank der neuartigen Feldsperren-IGBT-Technologie bietet die neue Serie der Feldsperren-IGBTs der 4. Generation von ON Semiconductor optimale Leistung für Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unentbehrlich sind.

Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C

Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb

Hohe Strombelastbarkeit

Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 60 A

Hohe Eingangsimpedanz

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Enge Parameterverteilung

Anwendungen

Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS, PFC

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