Vishay IGBT 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Typ P-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 180-7308
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7121ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7308
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7121ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 27.8W | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | 50°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 3.61 mm | |
| Länge | 3.61mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Energie | 9.8mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximale Verlustleistung Pd 27.8W | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. 50°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 3.61 mm | ||
Länge 3.61mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Energie 9.8mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 25 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 15 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 27,8 W und einen Dauerstrom von 18 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Mit Hilfe dieses MOSFET können ausgezeichnete Leistung und Effizienz zu niedrigeren Kosten erreicht werden. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• Leistungsgehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und kleiner Größe
• Die maximale Verlustleistung beträgt 27,8 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -50 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Mobiles Computing
• Adapterschalter
• Lastschalter - Batterie Management
• Notebook-Computer
• Strommanagement
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft