Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 13.2 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 180-7804
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7113DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7804
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7113DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.145Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | 50°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC JS709A | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 3.61mm | |
| Länge | 3.61mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.145Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Betriebstemperatur min. 50°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC JS709A | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 3.61mm | ||
Länge 3.61mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 134mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 13.2A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the Active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and Lead (Pb) free
• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07mm profile
• Maximum and minimum driving voltage is 4.5V and 10V
• Maximum dissipation power is 52W
• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
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