Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 13.2 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 180-7804
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7113DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 180-7804
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7113DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.145Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | 50°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC JS709A | |
| Breite | 3.61mm | |
| Länge | 3.61mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.145Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Betriebstemperatur min. 50°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC JS709A | ||
Breite 3.61mm | ||
Länge 3.61mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 134mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 13.2A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the Active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and Lead (Pb) free
• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07mm profile
• Maximum and minimum driving voltage is 4.5V and 10V
• Maximum dissipation power is 52W
• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
Verwandte Links
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 8.9 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 18 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 3.8 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Si7615ADN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay SiSH101DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -104 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
- Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8