Vishay SI7121ADN-T1-GE3 IGBT

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

CHF.11.76

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 520 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 180CHF.0.588CHF.11.76
200 - 480CHF.0.525CHF.10.58
500 - 980CHF.0.473CHF.9.41
1000 - 1980CHF.0.378CHF.7.67
2000 +CHF.0.326CHF.6.47

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
180-7866
Herst. Teile-Nr.:
SI7121ADN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 25 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 15 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 27,8 W und einen Dauerstrom von 18 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Mit Hilfe dieses MOSFET können ausgezeichnete Leistung und Effizienz zu niedrigeren Kosten erreicht werden. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei
• Leistungsgehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und kleiner Größe
• Die maximale Verlustleistung beträgt 27,8 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -50 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Mobiles Computing
• Adapterschalter
• Lastschalter - Batterie Management
• Notebook-Computer
• Strommanagement

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft

Verwandte Links