Vishay IGBT 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L Typ P-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 180-7332
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA433EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 180-7332
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA433EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70-6L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.15 mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 2.15mm | |
| Normen/Zulassungen | to RoHS Directive 2002/95/EC, Halogen Free According to IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70-6L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 6 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.15 mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 2.15mm | ||
Normen/Zulassungen to RoHS Directive 2002/95/EC, Halogen Free According to IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Vishay MOSFET
Der Vishay P-Kanal PowerPAK-SC70-6 MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 12 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 18 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 19 W und einen Dauerstrom von 12 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 1,8 V bzw. 4,5 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Integrierter ESD-Schutz mit Zenerdiode
• Halogenfrei
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
• neues thermisch verbessertes PowerPAK SC-70-Gehäuse
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Kleiner Platzbedarf
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• Die typische ESD-Leistung beträgt 1800 V.
Anwendungen
• Batterie schaltet
• Ladegerät-Schalter
• Lastschalter
• Tragbare Geräte
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
