Vishay SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT

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RS Best.-Nr.:
180-7332
Herst. Teile-Nr.:
SIA433EDJ-T1-GE3
Marke:
Vishay

Vishay MOSFET


Der Vishay P-Kanal PowerPAK-SC70-6 MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 12 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 18 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 19 W und einen Dauerstrom von 12 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 1,8 V bzw. 4,5 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Integrierter ESD-Schutz mit Zenerdiode
• Halogenfrei
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
• neues thermisch verbessertes PowerPAK SC-70-Gehäuse
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Kleiner Platzbedarf
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• Die typische ESD-Leistung beträgt 1800 V.

Anwendungen


• Batterie schaltet
• Ladegerät-Schalter
• Lastschalter
• Tragbare Geräte

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft

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