Vishay IGBT 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 180-7336
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7336
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70-6L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2.15mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70-6L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 6 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.6 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2.15mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der SMD-N-Kanal-SC-70-6-MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 16 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1380 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 19 W und einen Dauerstrom von 2,6 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 1,8 V bzw. 4,5 V. Es hat Anwendung im Aufwärtswandler für tragbare Geräte. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
• neues thermisch verbessertes PowerPAK SC-70-Gehäuse - Kleiner Platzbedarf
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007