Vishay SIA456DJ-T1-GE3 IGBT
- RS Best.-Nr.:
- 180-7793
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.14
Nur noch Restbestände
- Letzte 1’120 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.714 | CHF.7.14 |
| 100 - 240 | CHF.0.683 | CHF.6.79 |
| 250 - 490 | CHF.0.567 | CHF.5.71 |
| 500 - 990 | CHF.0.536 | CHF.5.36 |
| 1000 + | CHF.0.462 | CHF.4.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7793
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der SMD-N-Kanal-SC-70-6-MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 16 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1380 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 19 W und einen Dauerstrom von 2,6 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 1,8 V bzw. 4,5 V. Es hat Anwendung im Aufwärtswandler für tragbare Geräte. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
• neues thermisch verbessertes PowerPAK SC-70-Gehäuse - Kleiner Platzbedarf
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
• neues thermisch verbessertes PowerPAK SC-70-Gehäuse - Kleiner Platzbedarf
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007