Vishay SIA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 9 A 15.6 W PowerPAK SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 239-5368
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF 0.465 | CHF 11.70 |
| 250 - 1225 | CHF 0.434 | CHF 10.96 |
| 1250 - 2475 | CHF 0.394 | CHF 9.95 |
| 2500 - 6225 | CHF 0.374 | CHF 9.34 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5368
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70 | |
| Serie | SIA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.032Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70 | ||
Serie SIA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.032Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von –9 A. Er wird für Lastschalter, Batterieschalter, Ladeschalter verwendet.
100 % Rg geprüft
Thermisch verbessertes PowerPAK® SC-70-Gehäuse
Kleine Abmessungen
Niedriger Widerstand
Typischer ESD-Schutz: 3000 V (HBM)
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