Vishay SiA4263DJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W PowerPAK SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 239-5365
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA4263DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.20.20
Vorübergehend ausverkauft
- 6'025 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.808 | CHF.20.15 |
| 250 - 600 | CHF.0.758 | CHF.18.94 |
| 625 - 1225 | CHF.0.687 | CHF.17.15 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.646 | CHF.16.14 |
| 2500 + | CHF.0.606 | CHF.15.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5365
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA4263DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70 | |
| Serie | SiA4263DJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 199mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70 | ||
Serie SiA4263DJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 199mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von –12 A. Er wird für die Batteriemanagement in mobilen Geräten, Batterieschaltern, Lastschaltern, PA-Schaltern verwendet.
RDS(on) bei VGS = –1,8 V
100 % Rg und UIS geprüft
Verwandte Links
- Vishay SiA4263DJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W PowerPAK SC-70
- Vishay SIA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 9 A 15.6 W PowerPAK SC-70
- Vishay SIA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 9 A 15.6 W PowerPAK SC-70
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -20 V / -36 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V / 29.7 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L
- Vishay IGBT 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L Typ P-Kanal Oberfläche
- Vishay SIB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 4.5 A 1 W, 6-Pin PowerPAK SC-75
- Vishay Dual Plus Integrierter Schottky Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V / 4.5 A 6.5 W, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L