Vishay SiA4263DJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W PowerPAK SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 239-5364
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA4263DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIA4263DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70 | |
| Serie | SiA4263DJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 199mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±8 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70 | ||
Serie SiA4263DJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 199mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±8 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von –12 A. Er wird für die Batteriemanagement in mobilen Geräten, Batterieschaltern, Lastschaltern, PA-Schaltern verwendet.
RDS(on) bei VGS = –1,8 V
100 % Rg und UIS geprüft
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