Vishay SIA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 31 A 19.2 W, 7-Pin SIA4446DJ-T1-GE3 SC-70

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RS Best.-Nr.:
279-9901
Herst. Teile-Nr.:
SIA4446DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SIA

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.011Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Maximale Verlustleistung Pd

19.2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

2.05mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

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