Vishay SIA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 31 A 19.2 W, 7-Pin SC-70

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.6.46

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5'970 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.0.646CHF.6.43
50 - 90CHF.0.485CHF.4.83
100 - 240CHF.0.424CHF.4.28
250 - 990CHF.0.424CHF.4.20
1000 +CHF.0.414CHF.4.13

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9902
Herst. Teile-Nr.:
SIA4446DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

SIA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.011Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

19.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.05mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links