Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin SIA447DJ-T1-GE3 SC-70

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RS Best.-Nr.:
787-9288
Herst. Teile-Nr.:
SIA447DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

71mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Höhe

0.8mm

Breite

1.7 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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