Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 814-1213
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA449DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.41 | CHF.8.25 |
| 200 - 480 | CHF.0.305 | CHF.6.09 |
| 500 - 980 | CHF.0.252 | CHF.5.10 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.231 | CHF.4.54 |
| 2000 + | CHF.0.168 | CHF.3.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 814-1213
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA449DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.038Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2.15mm | |
| Breite | 2.15 mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.038Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2.15mm | ||
Breite 2.15 mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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