Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 0.52 A 1 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 180-7265
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1411DH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7265
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1411DH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
The Vishay Siliconix SI1411DH series TrenchFET P channel power MOSFET has drain to source voltage of 150 V. It is used in active clamp circuits in DC/DC power supplies.
Small, thermally enhanced SC-70 package
Ultra low on-resistance
Pb-free
Halogen free
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